Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm Read More ?
Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| Tm:YLF | 3*3*20mm | 雙拋，鍍膜 |
加工指標
- 材料：Tm:YLF晶體
- 濃度：3.0%
- 尺寸：3*3*20mm
- 拋光：3*3雙面激光級拋光
- 鍍膜：3*3雙面AR@1800-2550nm
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Tm:YLF晶體案例 (一) -3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>藍寶石案例（一）-φ15.6*4mm Read More ?
藍寶石案例（一）-φ15.6*4mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| 藍寶石 | φ15.6*4mm | 雙面拋光 |
加工指標
- 直徑公差：±0.02mm
- 厚度公差：±0.05mm
- S1、S2面面型PV值優(yōu)于1/2λ
- 無崩邊
- 倒角：0.2*4
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藍寶石案例（一）-φ15.6*4mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>2940nm全反鏡案例（一）最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| 全反鏡 | 規(guī)格：φ12.7*6.35mm | 鍍膜：S1 HR@2940nm, R>99.8%, S2不鍍膜 |
加工指標
鍍膜：S1 HR@2940nm, R>99.8%,
S2不鍍膜
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2940nm全反鏡案例（一）最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Yb:CaF2晶體案例（二）- DIA10 *10 mm Read More ?
Yb:CaF2晶體案例（二）- DIA10 *10 mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| 2%Yb:CaF2 晶體 | DIA10 *10 mm
（尺寸公差：+/-0.05mm） |
雙面拋光
鍍膜 |
加工指標
鍍膜 ,2% Yb ,無Na, 低溫用
低溫用,（80K），常溫下, 吸收率 約 92%@980nm
雙面拋光（on dia 10 mm surface)
拋光：激光級別
最高等損傷鍍膜 >10J/cm2
側(cè)面圓柱面區(qū)域鍍金屬
表面質(zhì)量：20-10;S-D (鍍膜后）
平面度：L/8@632 nm
垂直度：<15′
平行度：<15”
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Yb:CaF2晶體案例（二）- DIA10 *10 mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Yb:KGW 晶體案例（一）- 3*3*5mm Read More ?
Yb:KGW 晶體案例（一）- 3*3*5mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 尺寸/mm | 備注 |
| 5%YbKGW 晶體 | 3*3*5mm | 晶體方向：Np
端面雙拋 （3*3mm) 不鍍膜 |
| 5%YbKGW 晶體 | 3*3*2mm | 晶體方向：Np
端面雙拋 （3*3mm) 不鍍膜 |
加工指標
直徑公差：3(+/-0.1)×3(+/-0.1)mm
厚度：2(+/-0.1)mm
角度公差：Np-cut+0.5°
表面質(zhì)量：≤40-20
平整度： ≤λ/6@633nm
波前畸變：≤ λ/4@633nm
平行度： ≤30sec
垂直度： ≤15min
倒角： ≤0.1mm×45°
通光孔徑： ≥90%
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Yb:KGW 晶體案例（一）- 3*3*5mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr:ZnSe晶體案例(二)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| Cr:ZnSe | 2*2*2.5mm | 雙拋 |
加工指標
- 方向公差：< 0.5°
- 厚度/直徑公差：±0.10 mm
- 面形（平面度）：<(λ/2-λ/4)@632nm
- 波前畸變：<(1-2)λ@632nm
- 表面光潔度：60/40
- 平行度：1ˊ
- 垂直度：30ˊ
- 通光孔徑：>90%
- 倒邊：<0.2×45°
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Cr:ZnSe晶體案例(二)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm Read More ?
YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| YVO4 | 3*3*30mm | 方向：a切
鍍膜：雙面AR@1850-2550nm |
| YVO4 | 3*3*20mm | 方向：a切
鍍膜：雙面AR@1850-2550nm |
加工指標
- 方向公差: < 0.5°
- 厚度/直徑公差: ±0.10 mm
- 面形(平面度): <(λ/2-λ/4)@632nm
- 波前畸變: <(1-2)λ@632nm
- 表面光潔度: 60/40
- 平行度: 1ˊ
- 垂直度: 30ˊ
- 通光孔徑: >90%
- 倒邊: <0.2×45°
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YVO4晶體案例(一) – 3*3*30mm/3*3*20mm最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>KGW晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| KGW | 5*5*6.02mm | 加工要求和晶體切割方向,如附件。 |
| KGW | 5*5*3.1mm | 加工要求和晶體切割方向,如附件。 |
加工指標
尺寸公差：±0.1mm
5*5通光面雙面拋光雙面拋光（9X9 mm）
S面、S2面:
拋光，平面度誤美<2/4 @632.8nm
兩通光面保持平行，平行度誤差<10arcsec
晶體切割方向:通光面垂直于光軸，垂直度誤差<10arcmin
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KGW晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一) Read More ?
Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| 92高溫鍵合 | 整體長度8.2±0.1mm，鈷尖晶石T0=93.5%。
Er玻璃長度2.7mm。 根據(jù)總長度確定白玻璃長度。 PR膜采用R=92%。 |
鍍膜見下面要求 |
| 92高溫鍵合S | 整體長度7.6±0.1mm，鈷尖晶石T0=94.5%。
Er玻璃長度2.7mm。 根據(jù)總長度確定白玻璃長度。 PR膜采用R=92%。 |
鍍膜見下面要求 |
加工指標
要求鍵合采用鈷尖晶石基片的吸收系數(shù)為0.4cm-1。根據(jù)該系數(shù)計算下來T0=93.5%時的鈷尖晶石長度約為1.68mm，T0=94.5%時的鈷尖晶石長度約為1.41mm。如果吸收系數(shù)不同，則根據(jù)T0的要求計算下來的鈷尖晶石長度會有較明顯不同。加工時請以T0為主，根據(jù)所用基片的實際吸收系數(shù)確定鈷尖晶石長度。
J01 – S1面：AR@915-960nm，R<0.3%；HR@1535±5nm，R>99.8%；損傷閾值不低于40J/cm2；
S2面：PR@1535±5nm，R=92%±0.3%；HR@915-960nm，R＞99.3%。損傷閾值不低于40J/cm2。
J04 – S1面：AR@915-960nm，R<0.3%；HR@1535±5nm，R>99.8%；損傷閾值不低于40J/cm2；
S2面：PR@1535±5nm，R=92%±0.3%；HR@915-960nm，R＞99.3%。損傷閾值不低于40J/cm2。
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Glass+Er,Yb:glass+Co:spinel鍵合晶體案例(一)最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>Cr:YAG 晶體案例（四）最先出現(xiàn)在芯飛睿。
]]>| 品名 | 規(guī)格/mm | 備注 |
| Cr:YAG | 5*5 | 初始透過率：T0=83%
鍍膜：AR/AR@1064nm |
加工指標
- 方向公差 < 0.5°
- 厚度/直徑公差 ±0.10 mm
- 面形（平面度） <(λ/2-λ/4)@632nm
- 波前畸變 <(1-2)λ@632nm
- 表面光潔度 60/40
- 平行度 1ˊ
- 垂直度 30ˊ
- 通光孔徑 >90%
- 倒邊 <0.2×45°
發(fā)貨圖片
Cr:YAG 晶體案例（四）最先出現(xiàn)在芯飛睿。
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